2025年未来科学大奖揭晓，中国台湾科学家卢志远因在半导体存储领域的颠覆性突破荣获“数学与计算机科学奖”。卢志远深耕半导体存储领域40年，拥有哥伦比亚大学博士学位，身兼美国国家发明家科学院、中国台湾“中央研究院”等多院院士头衔。其核心发明包括全球首创每单元4比特高密度存储技术（将芯片容量推向物理极限）、深度纳米级BE-SONOS器件（突破摩尔定律魔咒）、三维单栅垂直沟道结构（让存储芯片“站着生长”）、存储器片上自修复能力（提升数据可靠性），这些发明成为人工智能、5G通信、云计算的“算力基石”，为中国在半导体“卡脖子”领域挺直腰杆